Пошук по сайту


Лекція №8 Тема лекції: Позначення транзисторів. Характеристики І властивості транзисторів. Тестування транзисторів

Лекція №8 Тема лекції: Позначення транзисторів. Характеристики І властивості транзисторів. Тестування транзисторів

Тема 1.2. Транзистори.

Лекція № 8

Тема лекції: Позначення транзисторів. Характеристики і властивості транзисторів. Тестування транзисторів.

План лекції

1. Позначення транзисторів

2. Характеристики і властивості транзисторів.

3. Тестування транзисторів.

Література

1. Кучумов А.И. Электроника и схемотехніка – 2002. ст. 126-132.

2. Гершунский Б.С. Основы электроники – 1977. ст. 169-173.

3. И.П.Жеребцов „Основи электроники” – 1985. ст. 59-60.

4. Ю.П.Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум” – 2003. ст. 27-36.

5. Ю.А.Овечкин „Полупроводниковые приборы” – 1979. ст. 58-62, 77-85.

6. Опадчий Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника – 2000. ст. 34-37.

Зміст лекції

1. Позначення транзисторів

Транзистором називається напівпровідниковий перетворюючий прилад, що має не менше трьох електродів і здатний підсилювати потужність. Класифікація транзисторів проводиться по наступних ознаках:

- За матеріалом напівпровідника – зазвичай германієві або кремнієві;

- По типу провідності областей (тільки біполярні транзистори): з прямою провідністю (p-n-p - структура) або із зворотною провідністю (n-p-n - структура);

- За принципом дії транзистори підрозділяються на біполярні і польові (уніполярні);

- По частотних властивостях (НЧ (<3 Мгц), СрЧ (3ч30 Мгц), ВЧ і СВЧ (>30 Мгц))

- По потужності. Малопотужні транзистори ММ (<0,3 Вт), середньої потужності СрМ (0,3-3Вт), могутні (>3 Вт).



2. Характеристики і властивості транзисторів

Будь-яка схема включення транзистора характеризується основними показниками:

1. коефіцієнт посилення по струму Iвых/Iвх;

2. вхідний опір Rвх=Uвх/Iвх. Еквівалентну схему підсилювача можна представити таким чином.



Задача передачі максимальної енергії від джерела сигналу на вхід підсилювача, а також з виходу підсилювача на навантаження називається узгодженням. Для оптимального узгодження вхідний опір підсилювача повинен бути якомога більше, тобто значно більше внутрішнього опору джерела сигналу, а вихідний опір значно менше опору навантаження. Питання узгодження виникають і в багатокаскадних підсилювачах.

3. Вихідна потужність



Значно збільшити вихідну потужність підсилювача не можна, оскільки при великій вихідній напрузі з'являються спотворення підсиленого сигналу за рахунок нелінійності характеристик підсилювальних елементів. Тому вноситься поняття номінальної вихідної потужності. Це найбільша вихідна потужність, при якій сигнал не спотворюється.

КПД підсилювача можна визначити по наступній формулі:



4. Рівень власних шумів складається з наступних складових: Теплові шуми при нагріванні опорів, ємностей; шуми підсилювальних елементів; шум за рахунок пульсацій джерела живлення.

5. Діапазон підсилених частот (смуга пропускання підсилювача). Це смуга частот, в якої вихідна напруга зменшується не більше ніж до 0,7 своїх максимальних величин.

Характеристики транзисторів.

Статичним режимом роботи транзистора називається такий режим, при якому зміна вхідного струму або напруги не викликає зміну вихідної напруги. Статичні характеристики транзисторів бувають двох видів: вхідні і вихідні.

1) Вхідна характеристика. Iвх = f(Uвх) при Uвых = const

Вхідні характеристики – це залежність вхідного струму від вхідної напруги при постійній вихідній напрузі. Вхідні характеристики є прямою гілкою відкритого p-n переходу.



2) Вихідна характеристика - це залежність вихідного струму від вихідної напруги при постійному вхідному струмі Iвих=f(Uвих) при Iвх=Const. Вихідні характеристики є прямими лініями, майже паралельними осі напруги.



Властивості транзистора

1. Температурна властивість транзисторів. Діапазон робочих температур транзистора визначається температурними властивостями p-n переходу. При його нагріванні від кімнатної температури (25 0C) до 65 0C опір бази і закритого переходу колектора зменшується на 15 – 20 %. Особливо сильно нагрівання впливає на зворотний струм колектора Iкбо. Він збільшується в два рази при збільшенні на кожні 100С. Все це впливає на характеристики транзистора і положення робочої точки.



2. Частотна властивість транзисторів. Діапазон робочих частот транзистора визначається двома чинниками: наявність бар'єрних місткостей на p-n переходах. Виникнення різниці фаз між струмами емітерами і колектора. Струм колектора відстає від струму емітера на якийсь час, що вимагається для подолання бази носіями заряду.

Із збільшенням частоти коефіцієнт посилення по струму зменшується. Тому для оцінки частотних властивостей транзистора застосовується один з основних параметрів - параметр граничної частоти fгр. Граничною частотою називається така частота, на якій коефіцієнт посилення зменшується в раз.

3. Тестування транзисторів

При ремонті побутової радіоапаратури виникає необхідність перевірити справність напівпровідникових транзисторів без випаювання їх зі схеми. Один із способів такої перевірки – вимірювання омметром опору між виводами емітера і колектора при з'єднанні бази з колектором і при з'єднанні бази з емітером. При цьому джерело колекторного живлення відключається від схеми. При справному транзисторі в першому випадку омметр покаже малий опір, в другому – порядку декілька сотень тисяч або десятків тисяч Ом.

Перевірка транзисторів, не включених в схему, на відсутність коротких замикань виконується вимірюванням опору між їх електродами (рис. 2). Для цього омметр підключають по черзі до бази і емітера, до бази і колектора, до емітера і колектора, міняючи полярність підключення омметра. Оскільки транзистор складається з двох переходів, причому кожен з них є напівпровідниковим діодом, перевірити транзистор можна так само, як перевіряють діод. Для перевірки справності транзисторів омметр підключають до відповідних виводів транзистора. У справного транзистора прямі опори переходів складають 30 - 50 Ом, а зворотні 0,5 - 2 МОм. При значних відхиленнях цих величин транзистор можна вважати несправним.



Перевірка транзистора на обрив та коротке замикання

Для тестування транзистора на коротке замикання або обрив підключається позитивний контакт омметра (Rx100) до бази, а негативний - до емітера n-p-n-транзистора. Тепер перехід база-емітер зміщений в прямому напрямі і його опір має бути низьким. Помінявши контакти місцями перехід база-емітер зміщений у зворотному напрямі і омметр показує великий опір. Перехід колектор-база перевіряється аналогічно. Якщо при будь-якому положенні контактів приладу спостерігається великий опір, це означає, що в транзисторі стався обрив, а в разі малого опору в обох вимірах – коротке замикання (при перевірці не включеного в схему транзистора).

Омметр допомагає визначити якість (підсилення) транзистора. Для цього один контакт омметра поміщають на емітер, а інший – на колектор. Омметр покаже деяку величину. Закорочуємо базу на емітер. Опір на приладі повинен зрости. При замиканні бази на колектор опір повинен зменшитись.


поділитися в соціальних мережах



Схожі:

Лекція №11 Тема лекції: Застосування транзисторів: класи підсилювачів
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 71-72

Лекція №3 Тема лекції: Позначення діодів. Характеристики І параметри діодів
Характеристики І параметри діодів: максимальна зворотна напруга, максимальний прямий струм, температура, частота, струм витоку, дисипація...

Лекція №6 Тема лекції: Основні характеристики І використання силіконових...
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 26, 50-59

Лекція №25 Тема лекції: Суматори: призначення, принцип дії, функціональне...
Тема лекції: Суматори: призначення, принцип дії, функціональне позначення, приклади логічних структур реалізації

Лекція №1 Тема лекції: Матеріали, конфігурація електронів, електричні...
Герасимов Электротехника и электроника. Книга Электрические измерения и основы электроники. 1998. ст. 63-65

Лекції: Основні характеристики І використання діодів із світловим...
Тема лекції: Основні характеристики І використання діодів із світловим випромінюванням, фотопровідних діодів, варисторів. Деталі...

Лекція №28 Тема лекції
Універсальні комп'ютери діляться на три функціонально зв'язані апаратні частини: процесор, пам'ять І периферійні пристрої

Лекція №20 Тема лекції: Визначення загальних позначень логічних вентилів,...
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 152-156

Лекція №5 Тема лекції: Робота та функції діодів в таких схемах: двопівперіодний...
Ю. П. Колонтаєвський, А. Г. Сосков „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 25

Тема: Конструкційні матеріали та їх властивості
Матеріали, які використовують для виготовлення виробів інтер’єрного призначення (метал, скло, бетон, натуральне дерево, пластик,...



База даних захищена авторським правом © 2017
звернутися до адміністрації

l.lekciya.com.ua
Головна сторінка