Пошук по сайту


Лекція №3 Тема лекції: Позначення діодів. Характеристики І параметри діодів

Лекція №3 Тема лекції: Позначення діодів. Характеристики І параметри діодів

Лекція № 3

Тема лекції: Позначення діодів. Характеристики і параметри діодів.

План лекції

1. Позначення діодів.

2. Характеристики і параметри діодів: максимальна зворотна напруга, максимальний прямий струм, температура, частота, струм витоку, дисипація енергії

Література

1. Кучумов А.И. Электроника и схемотехніка – 2002. ст. 121-122.

2. Гершунский Б.С. Основы электроники – 1977. ст. 31-36.

3. И.П.Жеребцов „Основи электроники” – 1985. ст. 38-43.

4. Ю.П.Колонтаєвський, А.Г.Сосков „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум” – 2003. ст. 24-25.

5. Ю.А.Овечкин „Полупроводниковые приборы” – 1979. ст. 29-36.

6. Опадчий Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника – 2000. ст. 18-29.

Зміст лекції

1. Позначення діодів

Напівпровідниковим діодом називається пристрій, що складається з кристала напівпровідника, і містить, зазвичай один p-n перехід і має два електроди.

Класифікація діодів

Ознака класифікації

Найменування діода

Позначення діодів

за методом отримання переходу

планарні



точкові



діод Шотткі



Напівпровідниковий матеріал

Германій




Кремній




Арсенид галію




Призначення

Випрямний




Імпульсний

Надвисокочастотний

Стабілітрон

(стабістор)



Варикап



Принцип дії

Лавинно-пролітний




Тунельний



Світлодіод



Фотодіод



Діод Ганна







2. Характеристики і параметри діодів

Вольтамперна характеристика реального діода проходить нижче, ніж у ідеального p-n переходу: позначається вплив опору бази. Після точки А вольт-амперна характеристика буде прямою лінією, оскільки при напрузі Uа потенційний бар'єр повністю компенсується зовнішнім полем. Крива зворотного струму ВАХ має нахил, оскільки за рахунок зростання зворотної напруги збільшується генерація власних носіїв заряду.



До основних параметрів діодів відносять:

- Максимально допустимий прямий струм Iпр.max.

- Пряме падіння напруги на діоді при максимальному прямому струмі Uпр.max.

- Максимально допустима зворотна напруга Uобр.max = (⅔ ÷ ¾) • Uэл.проб.

- Зворотний струм при максимально допустимій зворотній напрузі Iобр.max.



- Прямий і зворотний статичний опір діода при заданих прямій і зворотній напругах.



- Прямий і зворотний динамічний опір діода:



- Габарит і діапазон робочих температур.

- Ємність Сд між виводами діода.

Допустимі зворотні напруги кремнієвих діодів — 1000—1500 В, а германієвих 100—400 В. Інтервал робочих температур кремнієвого діода — від −60 °C до +150 °C; а для германієвого — від −60 °C до +85 °C. Тому зараз в основному використовують кремнієві діоди.

У даний час на практиці переважно застосовується система так званих граничних параметрів, що характеризують випрямний діод, основними з яких є:

Максимально допустимий середній прямий струм . Це максимально допустиме середнє за період значення прямого струму, що тривало протікає через прилад. Звичайно силові діоди використовуються спільно з певним типом охолоджувача. Це може бути або масивна металева пластина, інтенсивно відвідна тепло, що виділяється в діоді при протіканні струму, або спеціальна конструкція радіатора, що має велику площу тепловідводу, або спеціальний охолоджувач має всередині сорочку рідинного охолоджування, по якій циркулює вода.

Тому в інформаційних матеріалах приводяться значення граничних струмів з обліком впливу охолоджування (швидкість і витрата охолоджуючого повітря або рідини).

Максимально допустимий струм перевантаження. Це струм діода, тривале протікання якого викликало б перевищення максимально допустимої температури напівпровідникової структури, але обмежений за часом так, що перевищення цієї температури не відбувається.

Максимально допустимий ударний струм. Це максимально допустима амплітуда одиночного імпульсу струму синусоїдальної форми тривалістю 10 мс при заданих умовах роботи приладу, що відповідає половині періоду струму частотою 50 Гц.

Максимально допустима імпульсна напруга, що повторюється. Це максимально допустиме миттєве значення напруги, що періодично прикладається до діоду у зворотному напрямі. Напруга, що повторюється, характеризується класом приладу, вказуючим його в сотнях вольт і наводиться в паспортних даних.

Імпульсна зворотна напруга, що не повторюється, – максимальне допустиме миттєве значення будь-якої не повторюється напруги, що прикладається до діоду у зворотному напрямі.

Максимально допустима постійна зворотна напруга – напруга відповідне початку процесу лавинообразования в приладі (напруга пробою).

Більшість вказаних параметрів звичайно приводиться в технічному паспорті на прилад, а більш докладно інформація про параметри, характеристиках і експлуатаційних властивостях - в технічних умовах на прилад.

поділитися в соціальних мережах



Схожі:

Лекції: Основні характеристики І використання діодів із світловим...
Тема лекції: Основні характеристики І використання діодів із світловим випромінюванням, фотопровідних діодів, варисторів. Деталі...

Лекція №5 Тема лекції: Робота та функції діодів в таких схемах: двопівперіодний...
Ю. П. Колонтаєвський, А. Г. Сосков „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 25

Лекція №8 Тема лекції: Позначення транзисторів. Характеристики І...
Тема лекції: Позначення транзисторів. Характеристики І властивості транзисторів. Тестування транзисторів

Лекція №4 Тема лекції: Функціональна перевірка діодів. Послідовні та паралельні діоди
Якщо тестер зашкалив при обох зняття показань, діод несправний. Стався розрив усередині елемента. Якщо при обох зняття показань тестер...

Лекція №6 Тема лекції: Основні характеристики І використання силіконових...
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 26, 50-59

Лекція №25 Тема лекції: Суматори: призначення, принцип дії, функціональне...
Тема лекції: Суматори: призначення, принцип дії, функціональне позначення, приклади логічних структур реалізації

Лекція №11 Тема лекції: Застосування транзисторів: класи підсилювачів
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 71-72

Лекція №28 Тема лекції
Універсальні комп'ютери діляться на три функціонально зв'язані апаратні частини: процесор, пам'ять І периферійні пристрої

Лекція №20 Тема лекції: Визначення загальних позначень логічних вентилів,...
Ю. П. Колонтаєвський „Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія І практикум” – 2003. ст. 152-156

Лекція №1 Тема лекції: Матеріали, конфігурація електронів, електричні...
Герасимов Электротехника и электроника. Книга Электрические измерения и основы электроники. 1998. ст. 63-65



База даних захищена авторським правом © 2017
звернутися до адміністрації

l.lekciya.com.ua
Головна сторінка